DB하이텍, 8인치 1,200V SiC MOSFET 공정 신뢰성 검증 완료

… 세계 최초 8인치 SiC 파운드리 일괄공정 구축

… 1·2세대 PDK 고객 제공, 11월 3세대 추가 출시…고객 제품 개발기간 1년 이상 단축

 

대한민국 대표 8인치 파운드리 전문기업 DB하이텍이 8인치 웨이퍼 기반의 1,200V SiC MOSFET 공정 신뢰성 검증을 완료하고, 2027년 양산을 목표로 8인치 SiC 파운드리 사업에 박차를 가한다. DB하이텍은 이번 검증 완료를 바탕으로 고객 제품 개발 지원과 신규 고객 확보를 본격화하는 한편, 2027년 양산체제 구축에 속도를 낼 계획이다.

 

SiC(실리콘카바이드)는 기존 실리콘(Si) 대비 고온·고전압 환경에서 우수한 특성을 갖춰 전기차, 신재생에너지, 산업용 전력기기 등에 활용되는 차세대 전력반도체 소재다. 현재 SiC 시장은 6인치 웨이퍼가 주류를 이루고 있으나, 생산효율과 원가경쟁력 향상을 위해 글로벌 주요 업체들을 중심으로 8인치 전환이 진행되고 있다. DB하이텍은 이러한 시장 변화에 선제적으로 대응해 8인치 SiC 공정 기술 개발과 파운드리 서비스 구축을 추진해 왔다.

 

DB하이텍은 고전력 MOSFET에 최적화된 SiC 공정 기술을 지속적으로 고도화해 경쟁력 있는 전기적 특성과 높은 수준의 신뢰성을 확보했다. 특히 세계 최초로 8인치 1,200V SiC 파운드리 일괄공정을 구축해 설계부터 제조, 특성평가 및 신뢰성 검증까지 지원할 수 있는 파운드리 서비스 체계를 갖췄다.

 

DB하이텍은 8인치 SiC 파운드리 사업 본격화를 위해 자체 개발한 1세대와 2세대 1,200V SiC MOSFET PDK(Process Design Kit)를 고객에게 제공하며, 오는 11월에는 3세대 PDK도 출시할 예정이다. 고객은 이 같은 PDK를 활용해 초기 개발 부담을 줄이고 프로토타입 제작을 앞당길 수 있으며, 제품 개발기간을 1년 이상 단축할 수 있을 것으로 기대된다.

 

PDK로 제공되는 2세대 공정은 게이트 전압(Vgs(on)) 18V 조건에서 비저항(Rsp) 2.5 mΩ∙cm2 이하, 문턱전압(Vth) 3V 이상의 우수한 전기적 특성을 구현했으며, 기술적 진입장벽이 높은 신뢰성 검증까지 완료했다. 오는 11월 공개 예정인 3세대 공정은 동일한 게이트 전압 18V 조건에서 비저항 2.3 mΩ∙cm2 이하를 구현하고, 단락안전 동작 영역(SCSOA, Short Circuit Safe Operating Area)에서 SCWT (Short circuit withstand time) 2.5μs 이상의 특성을 확보하는 것을 목표로 검증 완료 후 고객사에 PDK를 제공할 예정이다.

 

DB하이텍은 올해 3분기에 다년간 협업해온 파운드리 고객에 우선 출시 및 공정 준비를 완료할 계획이며, 2027년 2분기부터는 모든 고객에 서비스를 제공할 예정이다.

 

DB하이텍 관계자는 “이번 1,200V SiC MOSFET 공정 신뢰성 검증 완료는 세계 최초로 8인치 SiC 파운드리 서비스를 위한 핵심 공정 기술과 양산 기반을 확보했다는 데 의미가 있다”며 “2027년 8인치 SiC 양산을 차질 없이 준비해 시장을 선점하고, 차세대 전력반도체 파운드리 시장에서 경쟁력을 지속 확대해 나갈 것”이라고 말했다. (끝)